结构式
| 物竞编号 | 0L7L |
|---|---|
| 分子式 | Ga2O3 |
| 分子量 | 187.44 |
| 标签 | 三氧化二镓, Gallium(III) trioxide, Digallium trioxide, 高纯度化合物 |
编号系统
CAS号：12024-21-4
MDL号：MFCD00011020
EINECS号：234-691-7
RTECS号：LW9650000
BRN号：暂无
PubChem号：24846434
物性数据
1. 性状：α-Ga2O3为六方晶型，β-Ga2O3属于单斜晶型。
2. 密度（g/mL,25℃）：未确定
3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定
4. 熔点（ºC）：1740
5. 沸点（ºC,常压）：未确定
6. 沸点（ºC，1mmHg）：未确定
7. 折射率：未确定
8. 闪点（ºC）：未确定
9. 比旋光度（º）：未确定
10. 自燃点或引燃温度（ºC）：未确定
11. 蒸气压（20ºC）：未确定
12. 饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定
13. 燃烧热（KJ/mol）：未确定
14. 临界温度（ºC）：未确定
15. 临界压力（KPa）：未确定
16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未确定
18. 爆炸下限（%,V/V）：未确定
19. 溶解性：不溶于水。微溶于热酸或碱溶液。
毒理学数据
生态学数据
通常对水体是稍微有害的，不要将未稀释或大量产品接触地下水，水道或污水系统，未经政府许可勿将材料排入周围环境。
分子结构数据
暂无
计算化学数据
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:3
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积43.4
7.重原子数量:5
8.表面电荷:0
9.复杂度:34.2
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:1
性质与稳定性
常温常压下稳定
避免光，明火，高温
是极难挥发的氧化物。另外，由于灼烧强度不同，对酸的溶解度也有差别，在低温灼烧的产品虽然可溶解于酸、碱，但高温灼烧的产品就是不溶的。有机镓化合物的热分解虽然也可生成三氧化二镓，但必须注意未燃烧碳的还原作用，不要生成挥发性低级氧化物Ga2O，和滤纸一起灼烧时，也同样要注意。
贮存方法
贮存于阴凉、干燥的库房内
合成方法
1.向三氯化镓GaCl3的热水溶液中加NaHCO3的高浓热水溶液，煮沸到镓的氢氧化物全部沉淀出来为止。用热水洗涤沉淀至没有Cl-为止，在600℃以上煅烧则得到β-Ga2O3。残留NH4Cl时，在250℃就和Ga2O3反应，生成挥发性GaCl3。
2.这是高纯Ga2O3的制法。以高纯金属Ga为阳极，溶解于5%～20%H2SO4溶液里，向溶液加氨水，冷却，将Ga(NH4)(SO4)2反复结晶，在105℃干燥，在过量氧的条件下在800℃灼烧2h，则得到纯度为9999%～99.9999%的产品。
3.称取1kg99.9999%的高纯镓放入三颈烧瓶中，加入高纯硝酸，使镓全部溶解，然后过滤，滤液倒入三颈烧瓶中，移至电炉上蒸发（在通风橱中进行），浓缩到接近结晶时，将溶液移置于大号蒸发皿中蒸发至干。将蒸干的Ｇａ（ＮＯ３）３放在马弗炉中进行灼烧，温度控制在550℃，灼烧５ｈ，待冷却后取出成品，得１．２ｋｇ高纯氧化镓。
用途
用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。
用作高纯分析试剂、半导体材料。
安全信息
危险运输编码：暂无
危险品标志：暂无
安全标识：S24/25
危险标识：暂无
文献
暂无
备注
暂无
表征图谱
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