物竞编号 00B7
分子式 CdHgTe2
分子量 568.201
标签 半导体材料

编号系统

CAS号:29870-72-2

MDL号:暂无

EINECS号:249-914-3

RTECS号:暂无

BRN号:暂无

PubChem号:暂无

物性数据

暂无

毒理学数据

暂无

生态学数据

暂无

分子结构数据

暂无

计算化学数据

暂无

性质与稳定性

Hg1-xCdxTe晶体是HgTe-CdTe赝二元系化合物半导体合金材料,是一种直接跃迁型半导体,具有本征载流子浓度低、电子迁移率高、电子与空穴迁移率比大、光吸收系数大、热激发速率小、电子有效质量小、热膨胀系数与硅接近等特点。其导电类型可由本身组分的偏离来调节,也可用掺杂的办法来控制。其禁带宽度犈g是组分狓和温度犜的函数,通过调节狓和犜可使犈g从半金属HgTe(Eg=-0.3eV)至半导体CdTe(Eg=1.648eV)之间连续变化,从而使其覆盖波长为1~25μm的整个红外区域。Hg1-xCdxTe的静电介电常数为14~17,高频介电常数为10~12.5,且随组分不同而有所差异。

贮存方法

产品应贮存在阴凉、通风、干燥、清洁、无化学药品腐蚀气氛的库房内。

合成方法

Hg1-xCdxTe块状晶体可用改进的布里奇曼法、固体再结晶法、碲溶剂法或移动加热法制备,也可用LPE、MBE与MOCVD等外延工艺制备Hg1-xCdxTe薄膜晶体材料。

用途

用于制作各种波段的单元、多元、十字型、线列、面阵双色和多谱等光导型和光伏型探测器,在军事侦察、制导、预警、飞机和坦克、舰艇上的前视仪和气象、资源、天文等卫星上,以及光纤通讯中都有广泛的应用。

安全信息

危险运输编码:暂无

危险品标志:暂无

安全标识:暂无

危险标识:暂无

文献

None

备注

None

表征图谱