结构式
| 物竞编号 | 094Q |
|---|---|
| 分子式 | InSb |
| 分子量 | 236.57 |
| 标签 | 半导体材料 |
编号系统
CAS号：1312-41-0
MDL号：MFCD00016146
EINECS号：215-192-3
RTECS号：NL1105000
BRN号：暂无
PubChem号：24874065
物性数据
1. 性状：具有金属光泽的化合物型半导体，其晶体结构与GaSb相同。
2. 密度（g/mL,25℃）：5.78
3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定
4. 熔点（ºC）：525
5. 沸点（ºC,常压）：未确定
6. 沸点（ºC,0.05mmHg）：未确定
7. 折射率（n20/D）：未确定
8. 闪点（ºF）：未确定
9. 比旋光度（º）：未确定
10. 自燃点或引燃温度（ºC）：未确定
11. 蒸气压（mmHg,719ºC）：未确定
12. 饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定
13. 燃烧热（KJ/mol）：未确定
14. 临界温度（ºC）：未确定
15. 临界压力（KPa）：未确定
16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未确定
18. 爆炸下限（%,V/V）：未确定
19. 溶解性：不溶于水
毒理学数据
1、急性毒性：大鼠引入腹膜LD50：3700mg/kg
生态学数据
对是水稍微有危害的不要让未稀释或大量的产品接触地下水、水道或者污水系统，若无政府许可，勿将材料排入周围环境。
分子结构数据
1、摩尔折射率：无可用的
2、摩尔体积（cm3/mol）：无可用的
3、等张比容（90.2K）：无可用的
4、表面张力（dyne/cm）：无可用的
5、介电常数：无可用的
6、极化率（10-24cm3）：无可用的
7、单一同位素质量：235.8077 Da
8、标称质量：236 Da
9、平均质量：236.578 Da
计算化学数据
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:0
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积0
7.重原子数量:2
8.表面电荷:0
9.复杂度:10
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:1
性质与稳定性
具有介于离子键与共价键中间的性质，禁带范围比较小(0.17eV)。电子迁移度大。可用于空穴元件及计算机。
贮存方法
保持贮藏器密封、储存在阴凉、干燥的地方，确保工作间有良好的通风或排气装置
合成方法
1.将20g铟、21.22g锑置于石英盘中，装进石英管内，在氢气流或惰性气流中将石英管加热至530～540℃，使之反应。
2.单晶制法与GaSb相同。能够采用横形布里奇曼制单晶法，但普通多采用拉晶法进行。为了得到高纯结晶都是使用高纯原料。用途
是制作波长为3～5μｍ的红外探测器的重要材料，用于制光伏型或光导型单元、多元及焦平面红外探测器以及磁敏器件。
安全信息
危险运输编码：UN 1549 6.1/PG 3
危险品标志：
有害 
危害环境
安全标识：S61
文献
暂无
备注
暂无
表征图谱
暂无图谱
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